...MC目前在28纳米世代的合作包括高介电层/金属闸(high-k metal gate, HKMG)的高效能工艺技术以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗电高速工艺技术。此外，高通预计于2010年年中投产首批 28纳米产品。
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...硅谷动力服务器频道 ll Node)制程，同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)，以及氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON)材料两种选择，以支持不同产品的应用及效能需求。此一28纳米制程预计于2010年第一季开始生产。
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silicon oxynitride films 氮氧化硅薄膜
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